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303142DMN3110S-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN3110S-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3110S-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3110S-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    73 mOhm @ 3.1mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    740mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN3110S-7DITR
    DMN3110S7
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    305.8pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 2.5A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN3110S-7" -Einziper.
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3067LW-7

DMN3067LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H14DLY-13

DMN30H14DLY-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3190LDW-7

DMN3190LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3065LW-7

DMN3065LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0LFDE-13

DMN30H4D0LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 0.55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0LFDE-7

DMN30H4D0LFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3070SSN-7

DMN3070SSN-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.2A SC59

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3067LW-13

DMN3067LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0L-7

DMN30H4D0L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .25A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN30H4D0L-13

DMN30H4D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V .25A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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