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7053963DMN3190LDW-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN3190LDW-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN3190LDW-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN3190LDW-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.8V @ 250µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 1.3A, 10V
  • Leistung - max
    320mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    DMN3190LDW-7DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    87pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1A

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Das Folgende sind "DMN3190LDW-7" -Einziper.
DMN3115UDM-7

DMN3115UDM-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3110S-7

DMN3110S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3150L-7

DMN3150L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3112SSS-13

DMN3112SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3112S-7

DMN3112S-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3150LW-7

DMN3150LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D6UT-13

DMN31D6UT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN313DLT-7

DMN313DLT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.27A SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3110LCP3-7

DMN3110LCP3-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A X2DFN1006-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3190LDW-13

DMN3190LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D5UFZ-7B

DMN31D5UFZ-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V .22A X2-DFN0606-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3135LVT-7

DMN3135LVT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

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