Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN33D8LT-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
5380338DMN33D8LT-13-Bild.Diodes Incorporated

DMN33D8LT-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$0.42
10+
$0.385
100+
$0.216
500+
$0.115
1000+
$0.079
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN33D8LT-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 0.115A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN33D8LT-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-523
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5 Ohm @ 10mA, 4V
  • Verlustleistung (max)
    240mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-523
  • Andere Namen
    DMN33D8LT-13DICT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    48pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.55nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    115mA (Ta)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMN33D8LT-13" -Einziper.
DMN3730U-7

DMN3730U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LDW-13

DMN33D8LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D4SDW-13

DMN32D4SDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4009LK3-13

DMN4009LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 18A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3404L-7

DMN3404L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN31D6UT-7

DMN31D6UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4008LFG-13

DMN4008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4010LFG-13

DMN4010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3300U-7

DMN3300U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3730UFB-7

DMN3730UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LFB4-7

DMN32D2LFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LV-7

DMN32D2LV-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.65A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4008LFG-7

DMN4008LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN33D8LDW-7

DMN33D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3200U-7

DMN3200U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN32D2LDF-7

DMN32D2LDF-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN3900UFA-7B

DMN3900UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.