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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN4009LK3-13

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3207544

DMN4009LK3-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN4009LK3-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN4009LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 18A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN4009LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

2.19W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMN4009LK3-13DITR
DMN4009LK313
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2072pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 18A (Ta) 2.19W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN4009LK3-13" -Einziper.

DMN4010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN33D8LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4026SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3404L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4010LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3730U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 750MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4025LSD-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4008LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4027SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4026SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4020LFDE-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8A U-DFN2020-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN33D8LT-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4020LFDE-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6-UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3730UFB4-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3730UFB-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 750MA DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4026SSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN3900UFA-7B

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4015LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 13.5A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN33D8LT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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