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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN4036LK3-13

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6907733

DMN4036LK3-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN4036LK3-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN4036LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN4036LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

2.12W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMN4036LK3-13DITR
DMN4036LK313
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

453pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.2nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 8.5A (Ta) 2.12W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

8.5A (Ta)

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Das Folgende sind "DMN4036LK3-13" -Einziper.

DMN4800LSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4031SSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4040SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4027SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4031SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4800LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4026SSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4800LSSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4027SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4030LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 9.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4034SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4026SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 28A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4034SSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4060SVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5010VAK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4026SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4468LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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