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4109681DMN53D0L-7-Bild.Diodes Incorporated

DMN53D0L-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMN53D0L-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMN53D0L-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    370mW (Ta)
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    DMN53D0L-7DIDKR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 500mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    500mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN53D0L-7" -Einziper.
DMN4060SVT-7

DMN4060SVT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4036LK3Q-13

DMN4036LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO252 T&R

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4800LSSQ-13

DMN4800LSSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LDW-13

DMN53D0LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN5010VAK-7

DMN5010VAK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0L-13

DMN53D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LQ-7

DMN53D0LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4040SK3-13

DMN4040SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A TO-252-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0U-7

DMN53D0U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN55D0UT-7

DMN55D0UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMN53D0U-13

DMN53D0U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
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