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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMN53D0U-13

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5402546

DMN53D0U-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMN53D0U-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMN53D0U-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMN53D0U-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2 Ohm @ 50mA, 5V
Verlustleistung (max)

520mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

DMN53D0U-13DI
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

37.1pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 300mA (Ta) 520mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

300mA (Ta)

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Das Folgende sind "DMN53D0U-13" -Einziper.

DMN53D0L-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0LDW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0LDW-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0LQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0L-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0LW-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5010VAK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06DMKQ-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0U-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0LQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 50V 500MA SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN55D0UT-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN4800LSSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06DW-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN55D0UTQ-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06T-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06DMK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN53D0LW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V SOT323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06DWK-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMN5L06K-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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