Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMPH4015SSS-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2329000DMPH4015SSS-13-Bild.Diodes Incorporated

DMPH4015SSS-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
2500+
$0.564
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMPH4015SSS-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMPH4015SSS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 9.8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.8W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4234pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    91nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    40V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 40V 11.4A (Ta) 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    11.4A (Ta)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMPH4015SSS-13" -Einziper.
DMPH4015SK3Q-13

DMPH4015SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET PCH 40V 14A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH4015SPS-13

DMPH4015SPS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SFGQ-13

DMPH6050SFGQ-13

Beschreibung: MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SPD-13

DMPH6050SPD-13

Beschreibung: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SK3-13

DMPH6050SK3-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 7.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SPDQ-13

DMPH6050SPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2 P-CH 26A POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH4015SPSQ-13

DMPH4015SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 50A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH1006UPS-13

DMPH1006UPS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SK3Q-13

DMPH6050SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 7.2A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6023SK3Q-13

DMPH6023SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH3010LK3Q-13

DMPH3010LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH3010LPSQ-13

DMPH3010LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH3010LPS-13

DMPH3010LPS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH3010LK3-13

DMPH3010LK3-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH4015SK3-13

DMPH4015SK3-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 40V 45A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH4015SSSQ-13

DMPH4015SSSQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 40V 11.4A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6023SK3-13

DMPH6023SK3-13

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH1006UPSQ-13

DMPH1006UPSQ-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SSD-13

DMPH6050SSD-13

Beschreibung: MOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMPH6050SFGQ-7

DMPH6050SFGQ-7

Beschreibung: MOSFETP-CH 60VPOWERDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.