DMPH1006UPSQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMPH1006UPSQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMPH1006UPSQ-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 15A, 4.5V
Verlustleistung (max)

3.2W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMPH1006UPSQ-13-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6334pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 8V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 80A (Tc) 3.2W Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

80A (Tc)

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DMPH1006UPS-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

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