Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT10H015LCG-13
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6673372

DMT10H015LCG-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.435
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT10H015LCG-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMT10H015LCG-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    V-DFN3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-VDFN Exposed Pad
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 9.4A (Ta), 34A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    9.4A (Ta), 34A (Tc)

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DMT10H015LCG-13" -Einziper.
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Beschreibung: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Hersteller: Amprobe
vorrätig
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT-8-15

DMT-8-15

Beschreibung: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT-7-15

DMT-7-15

Beschreibung: XFRMR LAMINATED 7VA CHAS MOUNT

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT-8-12

DMT-8-12

Beschreibung: XFRMR LAMINATED 8VA CHAS MOUNT

Hersteller: Bel
vorrätig
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Beschreibung: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.