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5095419DMT10H015LFG-7-Bild.Diodes Incorporated

DMT10H015LFG-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT10H015LFG-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 10A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMT10H015LFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI3333-8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    13.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2W (Ta), 35W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerWDFN
  • Andere Namen
    DMT10H015LFG-7DITR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 10A (Ta), 42A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta), 42A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT10H015LFG-7" -Einziper.
DMT1D33K

DMT1D33K

Beschreibung: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT-EXTPS

DMT-EXTPS

Beschreibung: DM-III & MT-2000 EXTERNAL POWER

Hersteller: Amprobe
vorrätig
RFQ
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Beschreibung: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 10A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H010LCT

DMT10H010LCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Beschreibung: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Beschreibung: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Beschreibung: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Beschreibung: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics
vorrätig
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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