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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT36M1LPS-13

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6272002

DMT36M1LPS-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMT36M1LPS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT36M1LPS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT36M1LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.6W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMT36M1LPS-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1155pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.7nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

65A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT36M1LPS-13" -Einziper.

DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4D47K

Beschreibung: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT34M2LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P1K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT3020LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Beschreibung: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

Hersteller: Murata Electronics

vorrätig

DMT4004LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4005SCT

DMT4005SCT

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Beschreibung: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Hersteller: Murata Electronics

vorrätig

DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P22K

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT4P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

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