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DMT32M5LFG-7

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMT32M5LFG-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMT32M5LFG-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    PowerDI3333-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    2.3W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    32 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    4066pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67.7nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 30A (Ta) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30A (Ta)

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Das Folgende sind "DMT32M5LFG-7" -Einziper.
DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 8.4A UDFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3009LFVW-7

DMT3009LFVW-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT36M1LPS-13

DMT36M1LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 65A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDB-13

DMT3020LFDB-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3011LDT-7

DMT3011LDT-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT334R2S474M3DTA0

DMT334R2S474M3DTA0

Beschreibung: CAP SUPER 470MF 4.2V 3-SMD

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
DMT35M7LFV-7

DMT35M7LFV-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 35.8A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT35M7LFV-13

DMT35M7LFV-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3N4R2U224M3DTA0

DMT3N4R2U224M3DTA0

Beschreibung: CAPACITOR 220MF 20% 4.2V SMD

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
DMT3009LFVW-13

DMT3009LFVW-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFCL-7

DMT3020LFCL-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.6A UDFN1616-6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT34M1LPS-13

DMT34M1LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT32M5LFG-13

DMT32M5LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT34M2LPS-13

DMT34M2LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 25V 30V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT4004LPS-13

DMT4004LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 40V 26A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT4002LPS-13

DMT4002LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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DMT3020LFDF-7

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Beschreibung: MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020

Hersteller: Diodes Incorporated
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