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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT6004SPS-13

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DMT6004SPS-13

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2500+

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Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMT6004SPS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT6004SPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

2.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4556pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

95.4nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 23A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Ta)

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Das Folgende sind "DMT6004SPS-13" -Einziper.

DMT4S1K-F

Beschreibung: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT5015LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6004SCT

DMT6004SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT5015LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6005LCT

DMT6005LCT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6008LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P1K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6005LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LCT

DMT6009LCT

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P1K

Beschreibung: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6005LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P22K-F

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

DMT6004LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 22A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6007LFG-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6007LFG-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT4P22K

Beschreibung: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Hersteller: Cornell Dubilier Electronics

vorrätig

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