Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT6009LK3-13

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

846814

DMT6009LK3-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMT6009LK3-13

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2500+

$0.444

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

DMT6009LK3-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT6009LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V
Verlustleistung (max)

2.6W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

DMT6009LK3-13-ND
DMT6009LK3-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 13.3A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.3A (Ta), 57A (Tc)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "DMT6009LK3-13" -Einziper.

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6007LFG-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6008LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6005LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6008LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6015LFV-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6005LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6005LCT

DMT6005LCT

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LCT

DMT6009LCT

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6007LFG-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.