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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMT6015LFV-13

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DMT6015LFV-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMT6015LFV-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT6015LFV-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT6015LFV-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI3333-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

2.2W (Ta), 30W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1103pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.9nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Ta), 35A (Tc)

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Das Folgende sind "DMT6015LFV-13" -Einziper.

DMT6015LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LFG-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6016LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6016LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6018LDR-7

DMT6018LDR-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6018LDR-13

DMT6018LDR-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LK3-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6009LSS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6016LFDF-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6016LFDF-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6017LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6015LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6015LFV-7

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

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