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2880013

DMTH10H025LK3-13

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DMTH10H025LK3-13
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET NCH 100V TO252
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DMTH10H025LK3-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-252, (D-Pak)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 20A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    3.1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1477pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 51.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    51.7A (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "DMTH10H025LK3-13" -Einziper.
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Beschreibung: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH4004LK3-13

DMTH4004LK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH4004LPS-13

DMTH4004LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 26A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH4004SCTB-13

DMTH4004SCTB-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Beschreibung: MOSFET 100V 108A TO220AB

Hersteller: Diodes Incorporated
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