DMT8012LSS-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMT8012LSS-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DMT8012LSS-13.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16.5 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

DMT8012LSS-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1949pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.7A (Ta)

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Das Folgende sind "DMT8012LSS-13" -Einziper.

DMT8012LFG-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMT8012LSS-13

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