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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > DMTH6010LPSQ-13

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DMTH6010LPSQ-13-Bild.

Diodes Incorporated

DMTH6010LPSQ-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6010LPSQ-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH6010LPSQ-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PowerDI5060-8
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

2.6W (Ta), 136W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

DMTH6010LPSQ-13DITR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2090pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 13.5A (Ta), 100A (Tc) 2.6W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

13.5A (Ta), 100A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH6010LPSQ-13" -Einziper.

DMTH6010LPD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6005LPS-13

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6009LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.2A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010SK3Q-13

DMTH6010SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 60V 16.3A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6005LPSQ-13

DMTH6005LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6009LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

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