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21149

DMTH6010SK3Q-13

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Spezifikation

Artikelnummer

DMTH6010SK3Q-13
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET NCH 60V 16.3A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

DMTH6010SK3Q-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252-4L
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Andere Namen

DMTH6010SK3Q-13DICT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2841pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252-4L
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

16.3A (Ta), 70A (Tc)

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Das Folgende sind "DMTH6010SK3Q-13" -Einziper.

DMTT-1000

DMTT-1000

Beschreibung: XFRMR LAMINATED 1000VA CHAS MNT

Hersteller: Bel

vorrätig

DMTH6010LPSQ-13

DMTH6010LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.2A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LPSQ-13

DMTH8012LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET NCH 80V 10A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LPSW-13

DMTH8012LPSW-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 53.7A POWERDI506

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010SCT

DMTH6010SCT

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWRDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2NCH 60V 13.1A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6009LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V POWERDI5060-8

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010SK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 16.3A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LSD-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 7.6A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 7.6A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LK3-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LPD-13

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LK3Q-13

DMTH6010LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH6010LPS-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

DMTH8012LK3Q-13

DMTH8012LK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 80V 50A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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