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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > RS2K-13-F
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3048560RS2K-13-F-Bild.Diodes Incorporated

RS2K-13-F

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$0.222
6000+
$0.207
15000+
$0.193
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS2K-13-F
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS2K-13-F.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMB
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    RS2K-FDITR
    RS2K13F
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1.5A Surface Mount SMB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS2K

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Das Folgende sind "RS2K-13-F" -Einziper.
RS2KA-13-F

RS2KA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2KA M2G

RS2KA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K R5G

RS2K R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K M4G

RS2K M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K-E3/5BT

RS2K-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2KAHR3G

RS2KAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2JAHR3G

RS2JAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2KA R3G

RS2KA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2KAHM2G

RS2KAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2KA-13

RS2KA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2JHE3/5BT

RS2JHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2K-13

RS2K-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2JAHM2G

RS2JAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2JHE3_A/I

RS2JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2K-E3/52T

RS2K-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2JA-13-F

RS2JA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2JHE3/52T

RS2JHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2JHE3_A/H

RS2JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2K-M3/5BT

RS2K-M3/5BT

Beschreibung: DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RS2K-M3/52T

RS2K-M3/52T

Beschreibung: DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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