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6778863RS2K-E3/5BT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS2K-E3/5BT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RS2K-E3/5BT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RS2K-E3/5BT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.3V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    500ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Andere Namen
    RS2K-E3/5BT-ND
    RS2K-E3/5BTGITR
    RS2KE35BT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    35 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    17pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    RS2K

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RS2KA R3G

RS2KA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K-E3/52T

RS2K-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2KA-13

RS2KA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2JAHR3G

RS2JAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K-13-F

RS2K-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2KHE3/52T

RS2KHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2JHE3_A/H

RS2JHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2JHE3_A/I

RS2JHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2JHE3/5BT

RS2JHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RS2KAHM2G

RS2KAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K-M3/52T

RS2K-M3/52T

Beschreibung: DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
RS2KA M2G

RS2KA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K-13

RS2K-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2KAHR3G

RS2KAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K R5G

RS2K R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2KA-13-F

RS2KA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1.5A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RS2K M4G

RS2K M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RS2K-M3/5BT

RS2K-M3/5BT

Beschreibung: DIODE SW 1.5A 800V 500NS DO214AA

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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RS2JHE3/52T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RS2KHE3/5BT

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