Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > US1NWF-7
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
996807US1NWF-7-Bild.Diodes Incorporated

US1NWF-7

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1+
$0.56
10+
$0.452
100+
$0.307
500+
$0.231
1000+
$0.173
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1NWF-7
  • Hersteller / Marke
    Diodes Incorporated
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD123F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    US1NWF-7.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 500mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-123F
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    80ns
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-123F
  • Andere Namen
    US1NWF-7DICT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1200V 1A Surface Mount SOD-123F
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1200V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    5pF @ 4V, 1MHz

AMD startet den Bau der zweiten Phase des Bangalore Design ...

2024/11/26

Die NVIDIA RTX 5090 -Grafikkarte hat eine GPU -Fläche von ...

2024/11/25

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "US1NWF-7" -Einziper.
US1MHE3_A/H

US1MHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MHR3G

US1MHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1MHM2G

US1MHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1ME-TP

US1ME-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MHE3_A/I

US1MHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MFL-TP

US1MFL-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1M-13

US1M-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1MFA

US1MFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1ML-TP

US1ML-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1M-TP

US1M-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1M/1

US1M/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MHE3/61T

US1MHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MHE3/5AT

US1MHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MDF-13

US1MDF-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1M-13-F

US1M-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.