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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > US1MHR3G
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3381483US1MHR3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

US1MHR3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1MHR3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    US1MHR3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "US1MHR3G" -Einziper.
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MDF-13

US1MDF-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1MHE3/61T

US1MHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1M-TP

US1M-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MHE3/5AT

US1MHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1ML-TP

US1ML-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1NWF-7

US1NWF-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 1A SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1MHE3_A/I

US1MHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MFL-TP

US1MFL-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO221AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1M/1

US1M/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MHE3_A/H

US1MHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1MDFQ-13

US1MDFQ-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DFLAT

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1ME-TP

US1ME-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMAE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1MFA

US1MFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1M-13-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1M-13

US1M-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1MHM2G

US1MHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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