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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > ZXMC4559DN8TA

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ZXMC4559DN8TA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMC4559DN8TA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMC4559DN8TA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMC4559DN8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.5A, 10V
Leistung - max

1.25W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

ZXMC4559DN8CT
ZXMC4559DN8TA-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.6A, 2.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.6A, 2.6A

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Das Folgende sind "ZXMC4559DN8TA" -Einziper.

ZXMC3A16DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3F31DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMD63N02XTC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC6A09DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3A17DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC4A16DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC10A816N8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3A16DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMD63N02XTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXM66P03N8TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3A17DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3AM832TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC4A16DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC4559DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 3.6A/2.6A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMD63C03XTC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMD63C02XTA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMC3A18DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMD63C02XTC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMD63C03XTA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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