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4854761ZXM66P03N8TA-Bild.Diodes Incorporated

ZXM66P03N8TA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ZXM66P03N8TA
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 5.6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    1.56W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    ZXM66P03N8CT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1979pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 6.25A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6.25A (Ta)
ZXM66N03N8TA

ZXM66N03N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM64P03XTA

ZXM64P03XTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3A16DN8TC

ZXMC3A16DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM66P02N8TA

ZXM66P02N8TA

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC10A816N8TC

ZXMC10A816N8TC

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM64P02XTC

ZXM64P02XTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3A18DN8TA

ZXMC3A18DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM64P02XTA

ZXM64P02XTA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC4559DN8TA

ZXMC4559DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3A17DN8TA

ZXMC3A17DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3AMCTA

ZXMC3AMCTA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3A17DN8TC

ZXMC3A17DN8TC

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM64P03XTC

ZXM64P03XTC

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3A16DN8TA

ZXMC3A16DN8TA

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM64P035GTA

ZXM64P035GTA

Beschreibung: MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3F31DN8TA

ZXMC3F31DN8TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM64P035L3

ZXM64P035L3

Beschreibung: MOSFET P-CH 35V 12A TO-220-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM66N02N8TA

ZXM66N02N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXM66P02N8TC

ZXM66P02N8TC

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
ZXMC3AM832TA

ZXMC3AM832TA

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig

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