Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN3B04N8TA

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

2396283

ZXMN3B04N8TA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN3B04N8TA

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

500+

$0.721

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN3B04N8TA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN3B04N8TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SO
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

25 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

2W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

ZXMN3B04N8TR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

33 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2480pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23.1nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 7.2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

7.2A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "ZXMN3B04N8TA" -Einziper.

ZXMN3A04KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN4A06KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B04N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A06DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A07FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A06N8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3G32DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3F31DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN4A06GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3F30FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A07FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A06DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A07ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.