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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN3A14FTA

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4025643

ZXMN3A14FTA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN3A14FTA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN3A14FTA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN3A14FTA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

ZXMN3A14FCT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

448pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3.2A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN3A14FTA" -Einziper.

ZXMN3G32DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B01FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A06DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3AM832TA

ZXMN3AM832TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A03E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A03E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A06N8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A06DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN4A06GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A05N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A04DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B04N8TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B04N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A04DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3F30FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A04KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3A14FQTA

ZXMN3A14FQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3F31DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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