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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN6A08E6TA

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ZXMN6A08E6TA-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6TA

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN6A08E6TA
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN6A08E6TA.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-26
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 4.8A, 10V
Verlustleistung (max)

1.1W (Ta)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6
Andere Namen

ZXMN6A08E6CT
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

459pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.8nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 2.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-26
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.8A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN6A08E6TA" -Einziper.

ZXMN6A08GQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A07FTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A07ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3F31DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08GQTC

Beschreibung: MOSFETN-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3G32DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN4A06KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3F30FHTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN4A06GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09KQTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08E6QTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN3B14FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A07FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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