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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > ZXMN6A09KQTC

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ZXMN6A09KQTC-Bild.

Diodes Incorporated

ZXMN6A09KQTC

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Spezifikation

Artikelnummer

ZXMN6A09KQTC
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
Datenblätte

ZXMN6A09KQTC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-252, (D-Pak)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 7.3A, 10V
Verlustleistung (max)

10.1W (Ta)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1426pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 11.8A (Ta) 10.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.8A (Ta)

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Das Folgende sind "ZXMN6A09KQTC" -Einziper.

ZXMN6A25DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25G

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11ZTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11GTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08E6TC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08GQTC

Beschreibung: MOSFETN-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09KTC

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 11.2A DPAK

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11DN8TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08E6TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A09DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A10N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A25GTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V SOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08E6QTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A11DN8TC

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

ZXMN6A08GQTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60VSOT223

Hersteller: Diodes Incorporated

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