Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > EPC2100ENG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4916935EPC2100ENG-Bild.EPC

EPC2100ENG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
10+
$10.159
30+
$9.256
100+
$8.353
250+
$7.676
500+
$6.998
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    EPC2100ENG
  • Hersteller / Marke
    EPC
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    EPC2100ENG.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
  • Leistung - max
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    917-EPC2100ENG
    EPC2100ENGR_H1
    EPC2100ENGRH1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A (Ta), 40A (Ta) Surface Mount Die
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta), 40A (Ta)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "EPC2100ENG" -Einziper.
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2040ENGR

EPC2040ENGR

Beschreibung: TRANS GAN 25V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2050ENGRT

EPC2050ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 350V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2040ENGRT

EPC2040ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 15V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2102

EPC2102

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2046ENGRT

EPC2046ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2047ENGRT

EPC2047ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 200V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2040

EPC2040

Beschreibung: MOSFET NCH 15V 3.4A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2100

EPC2100

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2049ENGRT

EPC2049ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 40V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2045ENGRT

EPC2045ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2051ENGRT

EPC2051ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 100V DIE CU PILLAR

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2101

EPC2101

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
EPC2103

EPC2103

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.