Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > EPC2103ENG
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
1973037EPC2103ENG-Bild.EPC

EPC2103ENG

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
100+
$11.144
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    EPC2103ENG
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 7mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 5V
  • Leistung - max
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    Die
  • Andere Namen
    917-EPC2103ENG
    EPC2103ENGRH7
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    760pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 5V
  • Typ FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET-Merkmal
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    80V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    23A
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2100

EPC2100

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2101

EPC2101

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2106

EPC2106

Beschreibung: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2103

EPC2103

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2107

EPC2107

Beschreibung: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2104

EPC2104

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105

EPC2105

Beschreibung: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2102

EPC2102

Beschreibung: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Beschreibung: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Beschreibung: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Hersteller: EPC
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden