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38954811N4006GP-M3/73-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4006GP-M3/73

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4006GP-M3/73
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AL (DO-41)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -50°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
1N4006G-T

1N4006G-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4006GPE-M3/54

1N4006GPE-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006GP

1N4006GP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006GHR1G

1N4006GHR1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006RL

1N4006RL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006GPHE3/73

1N4006GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006T-G

1N4006T-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
1N4006GL-T

1N4006GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4006TA

1N4006TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
1N4006RLG

1N4006RLG

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006GHB0G

1N4006GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006GHA0G

1N4006GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
1N4006GP-M3/54

1N4006GP-M3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
1N4006L-T

1N4006L-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
1N4006GPHE3/54

1N4006GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006GPE-M3/73

1N4006GPE-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4007

1N4007

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4006GP-E3/73

1N4006GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006GP-E3/54

1N4006GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4006GHR0G

1N4006GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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