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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N5062TR
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57358781N5062TR-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5062TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5062TR
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5062TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 2.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOD-57
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4µs
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-57, Axial
  • Andere Namen
    1N5062CT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 800V 2A Through Hole SOD-57
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    40pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N5062

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Das Folgende sind "1N5062TR" -Einziper.
1N5186US

1N5186US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5061TR

1N5061TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5184

1N5184

Beschreibung: DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5188US

1N5188US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5061GP-E3/54

1N5061GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5061 TR

1N5061 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A GPR-1A

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5182

1N5182

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5187US

1N5187US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5062GP-E3/54

1N5062GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5062TAP

1N5062TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5062GP-E3/73

1N5062GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5181

1N5181

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5183

1N5183

Beschreibung: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5061GPHE3/54

1N5061GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5062GPHE3/54

1N5062GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5062GPHE3/73

1N5062GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5187

1N5187

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5186

1N5186

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5188

1N5188

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5061TAP

1N5061TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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