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1N5184

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5184
  • Hersteller / Marke
    Microsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 10KV 100MA SAXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    1N5184.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    10V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    10000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    S, Axial
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    S, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 10000V 100mA Through Hole S, Axial
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 10000V
  • Strom - Richt (Io)
    100mA
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "1N5184" -Einziper.
1N5190

1N5190

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5062TAP

1N5062TAP

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5189US

1N5189US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A D5B

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5183

1N5183

Beschreibung: DIODE GEN PURP 7.5KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5061TR

1N5061TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5186US

1N5186US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5062GP-E3/73

1N5062GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5062GPHE3/73

1N5062GPHE3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5194

1N5194

Beschreibung: DIODE GEN PURP 70V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5186

1N5186

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5189

1N5189

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5188US

1N5188US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5062GPHE3/54

1N5062GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5062TR

1N5062TR

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 2A SOD57

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5062GP-E3/54

1N5062GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5181

1N5181

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5188

1N5188

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5187US

1N5187US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5182

1N5182

Beschreibung: DIODE GEN PURP 5KV 100MA AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5187

1N5187

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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