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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 60EPF10
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655173860EPF10-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

60EPF10

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    60EPF10
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Enthält Blei / RoHS nicht konform
  • Datenblätte
    60EPF10.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.4V @ 60A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247AC Modified
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    480ns
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-2
  • Andere Namen
    *60EPF10
    VS-60EPF10
    VS-60EPF10-ND
    VS60EPF10
    VS60EPF10-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -40°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 60A Through Hole TO-247AC Modified
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    60A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "60EPF10" -Einziper.
60EPU04

60EPU04

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SBR3U60P5Q-7

SBR3U60P5Q-7

Beschreibung: DIODE SBR 60V 3A POWERDI5

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
HS3K R7G

HS3K R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KBHM4G

S1KBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UPS5100/TR13

UPS5100/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 5A POWERMITE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-SD600R28PC

VS-SD600R28PC

Beschreibung: DIODE GEN PURP 2.8KV 600A B8

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
HER307GT-G

HER307GT-G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AA

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
60EPF06

60EPF06

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
60EPU06

60EPU06

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
60EPU02

60EPU02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
60EPF04

60EPF04

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR120LSFT3

MBR120LSFT3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
60EPS12

60EPS12

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
60EPF12

60EPF12

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SS2PH6-M3/84A

SS2PH6-M3/84A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DSS1-40BA

DSS1-40BA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMA

Hersteller: IXYS
vorrätig
RFQ
60EPF02

60EPF02

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
STPSC1006G-TR

STPSC1006G-TR

Beschreibung: DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
MBRB1645T4G

MBRB1645T4G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 16A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
60EPS08

60EPS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 60A TO247AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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