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869584S1KBHM4G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S1KBHM4G

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vorrätig
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S1KBHM4G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S1KBHM4G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    12pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S1KBHM4G" -Einziper.
S1KB-13-F

S1KB-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1KBTR

S1KBTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
S1KFS MWG

S1KFS MWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 800V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KFSHMWG

S1KFSHMWG

Beschreibung: DIODE, 1A, 800V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1K-E3/61T

S1K-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KFP

S1KFP

Beschreibung: DIODE GP 800V 1.2A SOD-123HE

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
S1KA-E3/5AT

S1KA-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KHE3/61T

S1KHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1K-M3/5AT

S1K-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GPP 1A 800V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KBHR5G

S1KBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KFSHMXG

S1KFSHMXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 800V, AEC-Q101, SOD-1

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KB-13

S1KB-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S1KFS MXG

S1KFS MXG

Beschreibung: DIODE, 1A, 800V, SOD-128

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KB R5G

S1KB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S1KHE3_A/H

S1KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1K-LTP

S1K-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S1KA-E3/61T

S1KA-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1K-M3/61T

S1K-M3/61T

Beschreibung: DIODE GPP 1A 800V DO-214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KHE3/5AT

S1KHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S1KB M4G

S1KB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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