BAV101-GS18

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Spezifikation

Artikelnummer

BAV101-GS18
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BAV101-GS18.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)

100V
Supplier Device-Gehäuse

SOD-80 MiniMELF
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

50ns
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
Andere Namen

BAV101-GS18GICT
Betriebstemperatur - Anschluss

175°C (Max)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 100V 250mA (DC) Surface Mount SOD-80 MiniMELF
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

100nA @ 100V
Strom - Richt (Io)

250mA (DC)
Kapazität @ Vr, F

1.5pF @ 0V, 1MHz

Das Folgende sind "BAV101-GS18" -Einziper.

BAV 99T E6433

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC75

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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RFQ

BAV102,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia

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BAV100-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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BAV 99W H6433

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BAV 99W H6327

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BAV102

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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BAV103

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

BAV 99T E6327

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SC75

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

BAV102-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

BAV102,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia

vorrätig

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BAV103 L1G

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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BAV102-TP

Beschreibung: DIODE GP 150V 200MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

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BAV100-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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BAV102-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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BAV101 L1G

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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BAV 99S H6827

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BAV102_D87Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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BAV101 L0G

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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BAV101-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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