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4225827BAV103 L0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

BAV103 L0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAV103 L0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GP 250V 200MA MINIMELF
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAV103 L0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    250V
  • Supplier Device-Gehäuse
    Mini MELF
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • Andere Namen
    BAV103 L0G-ND
    BAV103L0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 200°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    30 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 250V 200mA Surface Mount Mini MELF
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "BAV103 L0G" -Einziper.
BAV101-GS08

BAV101-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV116HWFQ-7

BAV116HWFQ-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV102-TP

BAV102-TP

Beschreibung: DIODE GP 150V 200MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAV103,115

BAV103,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV103-GS08

BAV103-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV102,115

BAV102,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV101-GS18

BAV101-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV102-GS08

BAV102-GS08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV102_D87Z

BAV102_D87Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV103-GS18

BAV103-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV103,135

BAV103,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV103

BAV103

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD80

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV102,135

BAV102,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA LLDS

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAV103 L1G

BAV103 L1G

Beschreibung: DIODE GP 250V 200MA MINIMELF

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAV103-TP

BAV103-TP

Beschreibung: DIODE GP 200V 200MA MINI MELF

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAV116S92-7

BAV116S92-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA SOD923

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAV102-GS18

BAV102-GS18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV102

BAV102

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 200MA LL34

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAV103-IR08

BAV103-IR08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAV116HWF-7

BAV116HWF-7

Beschreibung: DIODE SW 130V 215MA SOD123F

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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