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BY229B-800HE3/45

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Spezifikation

Artikelnummer

BY229B-800HE3/45
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.BY229B-800HE3/45.pdf
2.BY229B-800HE3/45.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 20A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

800V
Supplier Device-Gehäuse

TO-263AB
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

145ns
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur - Anschluss

-40°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 800V 8A Surface Mount TO-263AB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 800V
Strom - Richt (Io)

8A
Kapazität @ Vr, F

-
Basisteilenummer

BY229B-800

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Das Folgende sind "BY229B-800HE3/45" -Einziper.

BY229X-200,127

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220F

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

BY229B-800HE3/45

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