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BYG10MHE3_A/H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BYG10MHE3_A/H
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BYG10MHE3_A/H.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.15V @ 1.5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    44 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Avalanche
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    1.5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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BYG10M-M3/TR

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10YHE3_A/H

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Beschreibung: 1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10MHM3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10KHM3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10KHM3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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BYG10Y-E3/TR

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10KHM3_A/I

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

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BYG10MHM3_A/I

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