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3723473BYG10MHE3/TR3-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3/TR3

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  • Artikelnummer
    BYG10MHE3/TR3
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.BYG10MHE3/TR3.pdf
    2.BYG10MHE3/TR3.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Avalanche
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-214AC (SMA)
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    4µs
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    BYG10MHE3/TR3
  • Expanded Beschreibung
    Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Diodenkonfiguration
    1µA @ 1000V
  • Beschreibung
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    1000V (1kV)
  • Kapazität @ Vr, F
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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BYG10M-E3/TR

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10KHM3/TR

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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BYG10KHM3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10M-M3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10MHM3_A/H

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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BYG10Y-E3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

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BYG10M-E3/TR3

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Beschreibung: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

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BYG10MHM3/TR3

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BYG10M-M3/TR

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