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2130437ES1BHE3/5AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES1BHE3/5AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES1BHE3/5AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES1BHE3/5AT.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    920mV @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    25ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES1B

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Das Folgende sind "ES1BHE3/5AT" -Einziper.
ES1B-M3/61T

ES1B-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1BEIGE

ES1BEIGE

Beschreibung: TB DIN END BRACKET 100PC

Hersteller: B+B SmartWorx, Inc.
vorrätig
RFQ
ES1B/1

ES1B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1B-LTP

ES1B-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1BL M2G

ES1BL M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1BHE3_A/I

ES1BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1BE-TP

ES1BE-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES1BL MQG

ES1BL MQG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1B-E3/5AT

ES1B-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1B-E3/61T

ES1B-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1BHM2G

ES1BHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1BHE3_A/H

ES1BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1BL MHG

ES1BL MHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1BHE3/61T

ES1BHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1BL RFG

ES1BL RFG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1BL R3G

ES1BL R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES1B-M3/5AT

ES1B-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1B-TP

ES1B-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Co
vorrätig
RFQ
ES1B-13-F

ES1B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES1BL MTG

ES1BL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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