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2073454ES2BHE3_A/I-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES2BHE3_A/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2BHE3_A/I
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES2BHE3_A/I.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AA (SMB)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AA, SMB
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    53 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    18pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES2BHE3_A/I" -Einziper.
ES2BA R3G

ES2BA R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2C-E3/5BT

ES2C-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2C-13

ES2C-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2B/1

ES2B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2C

ES2C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2BHE3_A/H

ES2BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2C-13-F

ES2C-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2C-M3/52T

ES2C-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2C-E3/52T

ES2C-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2BHM4G

ES2BHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2C-LTP

ES2C-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2BHE3/52T

ES2BHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BA-13

ES2BA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2BHE3/5BT

ES2BHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES2C R5G

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