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3913899ES2BA R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES2BA R3G

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5400+
$0.103
12600+
$0.094
45000+
$0.088
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES2BA R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES2BA R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 2A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    ES2BA R3GTR
    ES2BA R3GTR-ND
    ES2BAR3GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    2A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES2BA R3G" -Einziper.
ES2B-13-F

ES2B-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2B-13

ES2B-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2BHE3/5BT

ES2BHE3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BA-13-F

ES2BA-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2B-E3/52T

ES2B-E3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B-M3/5BT

ES2B-M3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B-LTP

ES2B-LTP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2BA M2G

ES2BA M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2BHE3/52T

ES2BHE3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BHR5G

ES2BHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2BHE3_A/I

ES2BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BAHM2G

ES2BAHM2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2BAHR3G

ES2BAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2B/1

ES2B/1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2B-E3/5BT

ES2B-E3/5BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BHE3_A/H

ES2BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES2BA-13

ES2BA-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ES2B-TP

ES2B-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
ES2BHM4G

ES2BHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES2B-M3/52T

ES2B-M3/52T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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