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5065533ES3GHE3_A/I-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

ES3GHE3_A/I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3GHE3_A/I
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES3GHE3_A/I.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.1V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    400V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    53 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 400V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 400V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    ES3G

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ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3J M6G

ES3J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHM6G

ES3GHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HBHM4G

ES3HBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3GB R5G

ES3GB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GBHM4G

ES3GBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3G-M3/57T

ES3G-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HM6G

ES3HM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHR7G

ES3GHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GB M4G

ES3GB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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ES3G-M3/9AT

ES3G-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3G-E3/9AT

ES3G-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3J

ES3J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ES3GBHR5G

ES3GBHR5G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ES3HR7G

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Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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