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2354592ES3HM6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ES3HM6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ES3HM6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ES3HM6G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    500V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    35ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    28 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 500V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 500V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    30pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ES3HM6G" -Einziper.
ES3J

ES3J

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
ES3JBHR5G

ES3JBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHE3_A/H

ES3GHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3HBHM4G

ES3HBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3J V7G

ES3J V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HB M4G

ES3HB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHE3_A/I

ES3GHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3JB R5G

ES3JB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3J R7G

ES3J R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HB R5G

ES3HB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHM6G

ES3GHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3JB M4G

ES3JB M4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3J M6G

ES3J M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3JBHM4G

ES3JBHM4G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHE3/57T

ES3GHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3J V6G

ES3J V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3GHE3/9AT

ES3GHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES3GHR7G

ES3GHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HR7G

ES3HR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ES3HBHR5G

ES3HBHR5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
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