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5257410ESH3B-M3/9AT-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

ESH3B-M3/9AT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ESH3B-M3/9AT
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ESH3B-M3/9AT.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    900mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    40ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    53 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    70pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ESH3B-M3/9AT" -Einziper.
ESH3B R7G

ESH3B R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3C V7G

ESH3C V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3BHE3_A/I

ESH3BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH337M035AH1AA

ESH337M035AH1AA

Beschreibung: CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3B V7G

ESH3B V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3B V6G

ESH3B V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3B-M3/57T

ESH3B-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3B M6G

ESH3B M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3C R7G

ESH3C R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH337M050AH4AA

ESH337M050AH4AA

Beschreibung: CAP ALUM 330UF 20% 50V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3C-E3/57T

ESH3C-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3B-E3/57T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH338M010AL3AA

ESH338M010AL3AA

Beschreibung: CAP ALUM 3300UF 20% 10V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3C V6G

ESH3C V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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ESH3C-E3/9AT

ESH3C-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ESH3C M6G

ESH3C M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

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ESH3BHE3/9AT

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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ESH3BHE3/57T

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