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4165404ESH3B V6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

ESH3B V6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    ESH3B V6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    ESH3B V6G.pdf
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    ESH3B V6G-ND
    ESH3BV6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 3A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    45pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "ESH3B V6G" -Einziper.
ESH3B-E3/57T

ESH3B-E3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3B M6G

ESH3B M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH336M050AE3AA

ESH336M050AE3AA

Beschreibung: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3B V7G

ESH3B V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH336M063AG3AA

ESH336M063AG3AA

Beschreibung: CAP ALUM 33UF 20% 63V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH336M050AC3AA

ESH336M050AC3AA

Beschreibung: CAP ALUM 33UF 20% 50V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3B R7G

ESH3B R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3B-M3/57T

ESH3B-M3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH337M035AH1AA

ESH337M035AH1AA

Beschreibung: CAP ALUM 330UF 20% 35V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3C M6G

ESH3C M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
ESH3BHE3_A/H

ESH3BHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH337M016AG3AA

ESH337M016AG3AA

Beschreibung: CAP ALUM 330UF 20% 16V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3BHE3/9AT

ESH3BHE3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH337M025AG3AA

ESH337M025AG3AA

Beschreibung: CAP ALUM 330UF 20% 25V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH3B-E3/9AT

ESH3B-E3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3B-M3/9AT

ESH3B-M3/9AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3BHE3/57T

ESH3BHE3/57T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ESH3BHE3_A/I

ESH3BHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
ESH337M050AH4AA

ESH337M050AH4AA

Beschreibung: CAP ALUM 330UF 20% 50V RADIAL

Hersteller: KEMET
vorrätig
RFQ
ESH338M010AL3AA

ESH338M010AL3AA

Beschreibung: CAP ALUM 3300UF 20% 10V RADIAL

Hersteller: KEMET
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