IRF510STRRPBF

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Spezifikation

Artikelnummer

IRF510STRRPBF
Hersteller / Marke

Electro-Films (EFI) / Vishay
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

IRF510STRRPBF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-263 (D²Pak)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 3.4A, 10V
Verlustleistung (max)

3.7W (Ta), 43W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Andere Namen

IRF510STRRPBF-ND
IRF510STRRPBFTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

18 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5.6A (Tc)

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Das Folgende sind "IRF510STRRPBF" -Einziper.

IRF4905STRR

Beschreibung: MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

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